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J-GLOBAL ID：201702283989790401   整理番号：17A0955196

トンネル効果を高めることによるトンネル電界効果トランジスタのトンネル確率のゆらぎの抑制

Suppression of tunneling rate fluctuations in tunnel field-effect transistors by enhancing tunneling probability

著者 (14件)： MORI Takahiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Koichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ASAI Hidehiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORITA Yukinori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIZUBAYASHI Wataru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  LIU Yongxun (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  O’UCHI Shin-ichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKETA Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OTSUKA Shintaro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA Takashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CD02.1-04CD02.5  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のばらつきに及ぼすトンネル確率の影響について議論した。TFETにおけるトンネル電流を強化する等電子トラップ(IET)技術は,オン電流および閾値電圧の変動を抑制するために使用された。シミュレーション結果は,トンネリングレートの変動を抑制することが,ばらつきを抑制することを示した。さらに,トンネリングレート変動と電界強度との間の関係を記述する式は,Kaneのバンド間トンネリングモデルに基づいて導出された。この式は,トンネル速度の変動の大きさが電界強度の変動の大きさに比例し,トンネル確率が高いほどばらつきが小さいことを示した。導出された関係は,IET技術,チャネル材料工学,ヘテロ接合,歪み工学など,トンネリング確率の向上を利用するあらゆる技術に普遍的に有効である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *確率 ,  *捕獲中心 ,  計算機シミュレーション ,  ゆらぎ ,  等電子トラップ ,  バンド間トンネリング ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ

分類 (3件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  ゆらぎ,ランダム過程,Brown運動,輸送過程の一般的理論  (BA08020B)

引用文献 (33件)：

• K. Gopalakrishnan, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 289.
• E.-H. Toh, G. H. Wang, L. Chan, G.-Q. Lo, G. Samudra, and Y.-C. Yeo, IEEE Electron Device Lett. 27, 975 (2006).
• S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008).
• G. A. Salvatore, D. Bouvet, and A. M. Ionescu, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 167.
• A. C. Seabaugh and Q. Zhang, Proc. IEEE 98, 2095 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： トンネル効果 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  トンネル確率 ,  ゆらぎ