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J-GLOBAL ID：201702288250239178   整理番号：17A1802784

4H-SiC p-i-nダイオードに順方向電流を加えることによって膨張した積層欠陥の原因解析

Origin analysis of expanded stacking faults by applying forward current to 4H-SiC p-i-n diodes

著者 (19件)： HAYASHI Shohei (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HAYASHI Shohei (Toray Res. Center Inc., Otsu, JPN) ,  NAIJO Takanori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  NAIJO Takanori (Toray Res. Center Inc., Otsu, JPN) ,  YAMASHITA Tamotsu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMASHITA Tamotsu (SHOWA DENKO K.K., Tokyo, JPN) ,  MIYAZATO Masaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYAZATO Masaki (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  RYO Mina (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  RYO Mina (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  FUJISAWA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FUJISAWA Hiroyuki (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Masaaki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYAJIMA Masaaki (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SENZAKI Junji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KATO Tomohisa (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YONEZAWA Yoshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA Kazutoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 8  ページ： 081201.1-081201.4  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC p-i-nダイオードに順方向電流を加えることによって膨張した積層欠陥を,膨張原因を調べるために,透過型電子顕微鏡を使用して調べた。基底面転位から膨張した長い帯状積層欠陥が貫通刃状転位より大きな深さに基板に明らかに貫通した。積層欠陥のこの下方膨張は高密度少数キャリア注入の度合いに強く依存した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *PINダイオード ,  *積層欠陥 ,  膨張 ,  *貫通転位 ,  キャリア注入 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 4H-SiC

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (20件)：

• H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• Q. Wahab, A. Ellison, A. Henry, E. Janz?n, C. Hallin, J. Di Persio, and R. Martinez, Appl. Phys. Lett. 76, 2725 (2000).
• H. Fujiwara, T. Kimoto, T. Tojo, and H. Matsunami, Appl. Phys. Lett. 87, 051912 (2005).
• R. A. Berechman, M. Skowronski, and Q. Zhang, J. Appl. Phys. 105, 074513 (2009).
• P. O. ?. Persson, L. Huitman, H. Jacobson, J. P. Bergman, E. Janz?n, J. M. Molina-Aldareguia, W. J. Clegg, and T. Tuomi, Appl. Phys. Lett. 80, 4852 (2002).

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  ダイオード ,  順 ,  膨張 ,  積層欠陥 ,  原因解析