特許
J-GLOBAL ID：201703004044771911
炭化珪素のエピタキシャル成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-052477
公開番号（公開出願番号）：特開2017-165615
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】キャリア濃度の均一性を向上し、かつダウンフォール欠陥を低減可能な炭化珪素のエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】炭化珪素のエピタキシャル成長装置100は、チャンバ1と、基板収容部2とを有している。基板収容部2は、チャンバの内部にある。基板収容部2は、発熱体10と、発熱体10の一部を被覆するコーティング部材20とを含む。発熱体10は、基板3が配置される領域と向かい合っている。コーティング部材20の少なくとも一部は、基板3が配置される領域に面している。発熱体10は、等方性黒鉛から構成されている。コーティング部材20は、炭化珪素、炭化タンタルおよび熱分解炭素の少なくともいずれかを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバと、
前記チャンバの内部にある基板収容部とを備え、
前記基板収容部は、前記基板収容部の内部に基板を収容可能に構成されており、
前記基板収容部は、発熱体と、前記発熱体の一部を被覆するコーティング部材とを含み、
前記発熱体は、前記基板が配置される領域と向かい合っており、
前記コーティング部材の少なくとも一部は、前記基板が配置される領域に面しており、
前記発熱体は、等方性黒鉛から構成されており、
前記コーティング部材は、炭化珪素、炭化タンタルおよび熱分解炭素の少なくともいずれかを含む、炭化珪素のエピタキシャル成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077EG18
, 4G077EG25
, 4G077TA04
, 4G077TB02
, 4G077TD01
, 4G077TD03
, 4G077TE02
, 4G077TE05
