特許
J-GLOBAL ID：201703005554058949

分布帰還型半導体レーザ

発明者：
斎藤 真司

斎藤 真司 について

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角野 努

角野 努 について

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山根 統

山根 統 について

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津村 明

津村 明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-051668
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168592
出願日： 2016年03月15日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】放熱性が高められ、2〜100μm波長のレーザ光を放出可能な分布帰還型半導体レーザを提供する。【解決手段】分布帰還型半導体レーザは、半導体積層体と、第1の電極と、を有する。前記半導体積層体は、第1の層と、前記第1の層の上に設けられサブバンド間光学遷移によりレーザ光を放出可能な活性層と、前記活性層の上に設けられた第2の層と、を含む。前記半導体積層体は、前記第2の層の表面を含む平坦部と前記表面から前記第1の層に到達する溝部とを含む第1の面を有し、前記平坦部は第1の直線に沿って延在する第1領域と前記第1の直線に直交するように延在する第2領域とを有し、前記溝部と前記第2領域とは前記第1領域の外側において前記第1の直線に沿った所定のピッチを有する回折格子を構成する。前記第1の電極は、前記第1領域に設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の層と、前記第1の層の上に設けられサブバンド間光学遷移によりレーザ光を放出可能な活性層と、前記活性層の上に設けられた第2の層と、を含む半導体積層体であって、 前記第2の層の表面を含む平坦部と前記表面から前記第1の層に到達する溝部とを含む第1の面を有し、前記平坦部は第1の直線に沿って延在する第1領域と前記第1の直線に直交するように延在する第2領域とを有し、前記溝部と前記第2領域とは前記第1領域の外側において前記第1の直線に沿った所定のピッチを有する回折格子を構成する、半導体積層体と、 前記第1領域に設けられた第1の電極と、 を備えた分布帰還型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/12
FI (1件)：
H01S5/12
Fターム (11件)：
5F173AA32 ,  5F173AB13 ,  5F173AB30 ,  5F173AB53 ,  5F173AG22 ,  5F173AH13 ,  5F173AH14 ,  5F173AR02 ,  5F173AR72 ,  5F173MA08 ,  5F173MA10
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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