特許
J-GLOBAL ID：201703007653500184
面発光半導体レーザを作製する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, ▲高▼木 邦夫
, 寺澤 正太郎
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-052436
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168626
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】反りの有無に関係無くウエハ生産物に温度の面内均一性を高めることを可能にする面発光型半導体レーザを製造する方法を提供する。【解決手段】この作製方法は、ガス流路の上流から下流への方向に配列された第1部分61a及び第2部分61bと、第1部分61aを加熱するための第1ヒータ62a及び第2部分61bを加熱するための第2ヒータ62bとを有する処理装置OXDを準備する。III族構成元素としてアルミニウムを含みウエハ生産物SPの表面に到達するIII-V化合物半導体層を含むウエハ生産物SPを第2部分61bに置いた後に、第1ヒータ62a及び第2ヒータ62bに通電する。ウエハ生産物SPを処理装置OXDに置いた後、酸化剤を含まない第1ガスを処理装置OXDに供給する。第1ガスを停止すると共に酸化剤を含む第2ガスを処理装置OXDに供給して、ウエハ生産物SPを処理する。処理装置OXDにおいて第2ガスを停止する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
面発光半導体レーザを作製する方法であって、
ガス流路の上流から下流への方向に配列された第1部分及び第2部分と、前記第1部分を加熱するための第1ヒータ及び前記第2部分を加熱するための第2ヒータとを有する処理装置を準備する工程と、
面発光半導体レーザのためのウエハ生産物を準備する工程と、
前記ウエハ生産物を前記処理装置の前記第2部分に置く工程と、
前記ウエハ生産物を前記処理装置に置いた後に、前記第1ヒータに通電すると共に前記第2ヒータに通電する工程と、
前記ウエハ生産物を前記処理装置に置いた後に、前記処理装置に第1ガスを供給する工程と、
前記処理装置において前記第1ガスを停止すると共に前記処理装置に第2ガスを供給して、前記ウエハ生産物を処理する工程と、
前記処理装置において前記第2ガスを停止する工程と、
を備え、
前記第1ガスは、酸化剤を含まず、前記第2ガスは、酸化剤を含み、
前記ウエハ生産物は、III族構成元素としてアルミニウムを含むIII-V化合物半導体層を含み、前記III-V化合物半導体層が前記ウエハ生産物の表面に到達している、面発光半導体レーザを作製する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AH03
, 5F173AP33
, 5F173AP67
, 5F173AQ13
, 5F173AR92
