特許
J-GLOBAL ID：201703009409486024
半導体装置および電力制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-141219
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022678
出願日： 2015年07月15日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：
【課題】ドライバIC等の半導体装置を含んだ電力制御装置および電子システムの低コスト化等を実現する。【解決手段】ドライバICは、レイアウト上でリング状の形状を持つターミネーション領域(TRMBK)と、その外側および内側にそれぞれ設けられる第1の領域および第2の領域(HVBK)とを備える。ターミネーション領域(TRMBK)には、フローティング端子(P6)と第1のセンスノードとの間に設けられ、電源電圧VCCで駆動されるセンスMOS(MNdes)が形成される。第1の領域には、ロウサイドドライバDVlがロウサイドトランジスタTLをオンに駆動している期間で、第1のセンスノードの電圧が予め定めた判定電圧よりも高い場合に故障有りを検出する故障検出回路FDETが形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フローティング電圧に結合されるフローティング端子と、
リング状の形状を持つターミネーション領域と、
前記ターミネーション領域の外側に設けられ、基準電圧を基準として第1の電源電圧で動作する回路が形成される第1の領域と、
前記ターミネーション領域の内側に設けられ、前記フローティング電圧を基準として第2の電源電圧で動作する回路が形成される第2の領域と、
が設けられ、1個の半導体チップで構成される半導体装置であって、
前記第1の領域に形成され、前記半導体装置の外部に設けられるロウサイドトランジスタを駆動するロウサイドドライバと、
前記第2の領域に形成され、前記半導体装置の外部に設けられるハイサイドトランジスタを駆動するハイサイドドライバと、
前記第1の領域で生成された、前記基準電圧を基準とする信号を、前記フローティング電圧を基準とする信号に変換して前記第2の領域に出力するレベルシフト回路と、
前記ターミネーション領域に形成され、前記フローティング端子と第1のセンスノードとの間に設けられ、前記第1の電源電圧で駆動される第1のトランジスタと、
前記第1の領域に形成され、前記ロウサイドドライバが前記ロウサイドトランジスタをオンに駆動している期間で、前記第1のセンスノードの電圧が予め定めた第1の判定電圧よりも高い場合に故障有りを検出する故障検出回路と、
を有する、
半導体装置。
IPC (5件)：
H03K 17/08
, H02M 1/08
, H02M 1/00
, H02M 7/538
, H02M 7/48
H03K17/08 Z
, H02M1/08 A
, H02M1/00 H
, H02M7/5387 Z
, H02M7/48 M
5H740AA04
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH07
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740MM12
, 5H770BA01
, 5H770DA01
, 5H770DA03
, 5H770DA41
, 5H770GA02
, 5H770GA07
, 5H770GA14
, 5H770GA17
, 5H770HA03Y
, 5H770JA04Z
, 5H770LA05Y
, 5H770LA06Y
, 5H770QA04
, 5H770QA05
, 5J055AX32
, 5J055BX16
, 5J055CX20
, 5J055DX09
, 5J055EY01
, 5J055EY10
, 5J055EY21
, 5J055EZ10
, 5J055EZ11
, 5J055EZ18
, 5J055EZ20
, 5J055EZ31
, 5J055FX05
, 5J055FX19
, 5J055GX01
, 5J055GX02
, 5J055GX04
, 5J055GX07
, 5J055GX08
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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