特許
J-GLOBAL ID：201703010335657318
半導体装置の製造方法および半導体ウェハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-171397
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033026
特許番号：特許第6043118号
出願日： 2012年08月01日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置の製造方法であって、
半導体ウェハの所定位置に設けられたアライメントマークを用いて、位置合わせを行う位置合わせ工程を含んでおり、
上記アライメントマークは、細長部を備えるパターンを、上記細長部の長手方向に垂直な方向に複数個配列した線状部を備えており、
隣り合う上記パターンについて、上記細長部の幅よりも、上記細長部どうしの間隔の方が広く、
上記パターンは、上記細長部の一端または両端に、該細長部よりも幅の広い幅広部を備えており、
隣り合う上記パターンについて、上記幅広部の幅よりも、上記幅広部どうしの間隔の方が広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
G03F 7/20 ( 200 6.01)
, G03F 9/00 ( 200 6.01)
G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
