特許
J-GLOBAL ID:201703011202807232
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-098549
公開番号(公開出願番号):特開2017-208401
出願日: 2016年05月17日
公開日(公表日): 2017年11月24日
要約:
【課題】従来とは異なる発想で高精度のプロセス制御を行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理体を収容するチャンバ1と、チャンバ1内にプラズマを生成するプラズマ生成機構2,6,17と、チャンバ1内にプラズマを生成するためのガスを供給するガス供給機構11と、プラズマ生成機構2,6,17により生成されたプラズマと接する部材の温度を測定する温度測定手段20と、チャンバ1内の圧力を調整する圧力調整手段28と、温度測定手段20の温度情報に基づいて、被処理体にプラズマ処理を施している際に、プラズマ中のガス粒子数の変動が少なくなるように、チャンバ内の圧力を制御する制御部30とを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
被処理体を収容するチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記チャンバ内にプラズマを生成するためのガスを供給するガス供給機構と、
前記プラズマ生成機構により生成されたプラズマと接する部材の温度を測定する温度測定手段と、
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記温度測定手段の温度情報に基づいて、被処理体にプラズマ処理を施している際に、プラズマ中のガス粒子数の変動が少なくなるように、前記チャンバ内の圧力、前記ガスの流量、およびガス種の少なくとも一つを制御する制御部と
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/306
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
, C23C 16/52
, C23C 16/50
FI (9件):
H01L21/302 101G
, H01L21/302 101B
, H01L21/302 101C
, H01L21/302 101D
, H01L21/205
, H01L21/31 C
, H05H1/46 M
, C23C16/52
, C23C16/50
Fターム (67件):
2G084AA02
, 2G084AA04
, 2G084AA05
, 2G084AA07
, 2G084BB02
, 2G084BB11
, 2G084BB12
, 2G084BB22
, 2G084BB37
, 2G084CC05
, 2G084CC12
, 2G084CC13
, 2G084CC14
, 2G084CC33
, 2G084DD02
, 2G084DD03
, 2G084DD13
, 2G084DD15
, 2G084DD23
, 2G084DD24
, 2G084DD37
, 2G084DD38
, 2G084DD55
, 2G084FF32
, 2G084HH18
, 2G084HH19
, 2G084HH31
, 2G084HH35
, 2G084HH36
, 2G084HH45
, 2G084HH52
, 2G084HH53
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA04
, 4K030FA01
, 4K030GA02
, 4K030HA12
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA17
, 4K030KA18
, 4K030KA30
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004CA02
, 5F004CA06
, 5F004CA09
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AA20
, 5F045DP03
, 5F045EE17
, 5F045EF05
, 5F045EH11
, 5F045EH14
, 5F045EH19
, 5F045GB05
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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