電界効果トランジスタおよびその駆動方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本健司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-142761
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028006
出願日： 2015年07月17日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

【課題】本願の課題は、デバイスのOFF時(零V)とON時(電源電圧)におけるドレイン電流の比が及びON時の電流駆動能力が大きく、スイッチング特性と電流駆動能力に優れ、高効率で生産出来、且つ生産管理が容易な電界効果トランジスタを提供することである。【解決手段】この課題は、電界効果トランジスタにおいて、半導体層の上下の各主面にゲート領域部を設けるとともにソース領域部1002には、トンネル電子放出部1007と熱電子放出部1006を備え、トンネル電子放出部1007がドレイン領域部1003に向かって半導体層中に延在している構造とすることで解決できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対向している第一の主面と第二の主面を有する第一の半導体層、前記第一の主面に設けた第一のゲート領域部、前記第二の主面に設けた第二のゲート領域部、前記第一の半導体層中にソース・ドレイン電流を形成すべく設けたソース領域部とドレイン領域部、を備え、前記ソース領域部は、トンネル電子放出部と熱電子放出部を備え、前記トンネル電子放出部が前記ドレイン領域部に向かって前記第一の半導体層中に延在している構造を有する、ことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 622 , H01L29/78 617N

Fターム (27件)：

5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110BB13 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG36 , 5F110HJ01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK17 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HM12

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-184474 出願人：株式会社東芝
MOS型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001335 出願人：川崎製鉄株式会社
ライントンネリングトンネル電界効果トランジスタ(TFET)及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-114056 出願人：アイメック, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・アール・アンド・ディ

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