特許
J-GLOBAL ID：201703012955669483
プラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
アセンド特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-230711
公開番号（公開出願番号）：特開2017-046010
出願日： 2016年11月28日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：
【課題】ワイドギャップ半導体基板を高精度にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】不活性ガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台にバイアス電位を与え、不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを基台上の半導体基板に入射させて半導体基板を加熱し、半導体基板の温度が200°C〜400°Cの温度でエッチング時の温度になった後、エッチングガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、半導体基板の温度を前記エッチング時の温度に維持しながら半導体基板をエッチングする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置した後、
前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってSF6ガスを供給し、供給したSF6ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
前記炭化珪素基板を200°C〜400°C(ただし、200°Cを除く)に加熱した状態でエッチングして前記炭化珪素基板の表面に底面を有する穴又は溝を形成するようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/302 105A
, H01L21/302 101C
5F004BA20
, 5F004BB26
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004CA06
, 5F004DA18
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004FA01
