特許
J-GLOBAL ID：201703014031402963
基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 鈴木 健之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-126927
公開番号（公開出願番号）：特開2017-118092
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：
【課題】シリカの析出を抑制する基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液を提供する。【解決手段】本実施形態による基板処理装置は、処理部と、循環路と、加熱部と、第1投入部とを備える。処理部は、リン酸とシリカ析出抑制剤とを含むエッチング液が供給され、エッチング液に、表面にシリコン窒化膜を有する基板を接触させて、基板からシリコン窒化膜を除去する。循環路は、処理部に対してエッチング液を循環させる。加熱部は、エッチング液を加熱する。第1投入部は、循環路に設けられ、エッチング液中にシリカ析出抑制剤を投入する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リン酸とシリカ析出抑制剤とを含むエッチング液が供給され、前記エッチング液に、表面にシリコン窒化膜を有する基板を接触させて、前記基板から前記シリコン窒化膜を除去する処理部と、
前記処理部に対して前記エッチング液を循環させる循環路と、
前記エッチング液を加熱する加熱部と、
前記循環路に設けられ、前記エッチング液中に前記シリカ析出抑制剤を投入する第1投入部と、を備える基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
H01L21/308 E
, H01L21/306 J
5F043AA35
, 5F043BB23
, 5F043DD07
, 5F043EE22
, 5F043EE23
, 5F043EE24
, 5F043EE25
