特許
J-GLOBAL ID：201703014256210699

半導体装置

発明者：
齋藤 利彦

齋藤 利彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-090012
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256856
特許番号：特許第6045176号
出願日： 2012年04月11日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電膜と、 第2の導電膜と、 第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、 第3の導電膜と、 前記第3の導電膜と前記酸化物半導体膜との間の第2の絶縁膜と、 第4の導電膜と、 前記第2の導電膜の側面と前記第4の導電膜との間の第3の絶縁膜と、を有し、 前記第1の導電膜は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方となる領域を有し、 前記第2の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方となる領域を有し、 前記第2の導電膜は、キャパシタの第1の電極となる領域を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、 前記第3の導電膜は、前記トランジスタのゲート電極となる領域を有し、 前記第4の導電膜は、前記キャパシタの第2の電極となる領域を有し、 前記第2の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域と、前記酸化物半導体膜の側面と接する領域と、前記第2の導電膜の側面と前記第3の絶縁膜との間に設けられる領域と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記第1の絶縁膜の上面と接する領域を有し、 前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の各々は、加熱処理により酸素を放出することができる絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 625 C ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 619 A
引用特許：
審査官引用 (12件)
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