特許
J-GLOBAL ID：201703015702521187
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-107697
公開番号（公開出願番号）：特開2014-032388
特許番号：特許第6149511号
出願日： 2013年05月22日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 樹脂及び酸発生剤を含み、
樹脂が、式(I)で表される構造単位と、式(a1-1-0)で表される構造単位及び式(a1-2-0)で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも一種とを有する樹脂であり、
酸発生剤が、式(B1)で表される塩を含む酸発生剤であるレジスト組成物。
[式(I)中、
R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
A1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
A2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
環T1は置換基を有していてもよい炭素数3〜36の脂環式炭化水素基を表す。]
[式(a1-1-0)中、
Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ra6は、炭素数1〜10の飽和炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。]
[式(a1-2-0)中、Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ra7は、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
[式(B1)中、
Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
Lb1は、炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
Z+は、有機カチオンを表す。]
IPC (3件)：
G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
