特許
J-GLOBAL ID:200903009952930683
ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-195372
公開番号(公開出願番号):特開2009-053688
出願日: 2008年07月29日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
【課題】同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにも適用でき、得られるパターン形状が優れたポジ型レジスト組成物とパターン形成方法の提供。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(C)酸の作用により分解し、酸を発生する化合物及び(D)それ自身は(A)成分及び(C)成分が発生する酸に対して塩基として働くが、活性光線又は放射線の照射により分解して(A)成分及び(C)成分が発生する酸に対する塩基性を消失する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(C)酸の作用により分解し、酸を発生する化合物及び
(D)それ自身は(A)成分及び(C)成分が発生する酸に対して塩基として働くが、活性光線又は放射線の照射により分解して(A)成分及び(C)成分が発生する酸に対する塩基性を消失する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, H01L 21/027
, C08F 220/10
FI (4件):
G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, C08F220/10
Fターム (70件):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA04
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AJ02Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AM17Q
, 4J100AM17R
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA02R
, 4J100BA02S
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA08R
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA15R
, 4J100BA15S
, 4J100BA40P
, 4J100BA40Q
, 4J100BB17Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC03R
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC04R
, 4J100BC04S
, 4J100BC07P
, 4J100BC07Q
, 4J100BC07R
, 4J100BC08P
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC12P
, 4J100BC43Q
, 4J100BC52P
, 4J100BC52R
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
国際公開第04/077158号パンフレット
-
レジストパタン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-175821
出願人:学校法人東京電機大学
審査官引用 (9件)
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