半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：土井健二 , 林恒徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-136248
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012130
特許番号：特許第6123516号
出願日： 2013年06月28日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板に形成された第1導電型のソース領域と、前記半導体基板に形成された前記第1導電型のドレイン領域と、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板に形成され、不純物濃度が前記ドレイン領域より低い前記第1導電型のドリフト領域と、前記半導体基板に形成され、前記第1導電型とは反対の第2導電型を有し、前記ソース領域と前記ドリフト領域と前記ドレイン領域とを平面視で囲い、前記チャネル領域を含む第1半導体領域と、前記半導体基板に形成され、前記第1導電型を有し、前記第1半導体領域を平面視で囲う第2半導体領域と、前記半導体基板上に形成され、前記第1半導体領域に電気的に接続し、前記ソース領域のうち前記ゲート電極で覆われていない部分を前記ゲート電極とともに平面視で囲う第1シールド配線と、前記第1シールド配線上に形成され、前記第1シールド配線と電気的に接続し、前記第1半導体領域内で少なくとも前記ドリフト領域を平面視で囲う内縁を有する第2シールド配線とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 301 D , H01L 29/44 L

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-017611 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
集積回路チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170709 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-211937 出願人：OKIセミコンダクタ株式会社

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審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-017611 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
集積回路チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170709 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-211937 出願人：OKIセミコンダクタ株式会社

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