特許
J-GLOBAL ID：201203012583344380

半導体装置及びその製造方法

発明者：
浅野 正義

浅野 正義 について

, 
三谷 純一

三谷 純一 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-017611
公開番号（公開出願番号）：特開2012-160510
出願日： 2011年01月31日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
要約：
【課題】LDMOSトランジスタとESD保護素子とを有する半導体装置において、製造工程が簡単であるとともに、所望の特性を確保しつつ従来に比べてより一層の高密度化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】LDMOSトランジスタ形成領域のゲート電極18aと素子分離膜11bの重なり幅をA1、ゲート電極18aとドレイン領域23bとの間隔をB1とし、ESD保護素子形成領域のゲート電極18と素子分離膜11cとの重なり幅をA2、ゲート電極18bとアノード領域22cとの間隔をB2としたときに、A1≧A2、且つB1<B2の関係を満足するように、ゲート電極18a、素子分離膜11b、ドレイン領域20a、ゲート電極18b、素子分離膜11c及び前記アノード領域22cを形成する【選択図】図3
請求項（抜粋）：
LDMOS(Laterally Diffused MOS)トランジスタと、 ESD(Electrostatic Discharge)保護素子と、 前記LDMOSトランジスタにおいて、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、 前記半導体基板に第1導電型不純物を導入して形成され、前記第1のゲート電極の一方の縁部側に配置された第1のボディ領域と、 前記第1のボディ領域の上部に配置された第2導電型の第1のソース領域と、 前記半導体基板の上部に形成され、前記第1のゲート電極に重なるように配置された第1の素子分離膜と、 前記半導体基板内に形成され、第2導電型不純物を含み、前記第1の素子分離膜の縁部に接し且つ前記第1のゲート電極から離れた位置に配置された第1のドレイン領域と、 前記半導体基板内に形成され、第2導電型不純物を含み、前記第1のボディ領域及び前記第1のドレイン領域に接する第1のドリフト領域とを有し、 前記ESD保護素子は、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極と、 前記半導体基板内に形成され、第1導電型不純物を含み、前記第2のゲート電極の一方の縁部側に配置された第2のボディ領域と、 前記第2のボディ領域の上部に配置された第2導電型の第2のソース領域と、 前記半導体基板の上部に形成され、前記第2のゲート電極に重なるように配置された第2の素子分離膜と、 前記半導体基板内に形成され、第1導電型不純物を含み、前記第2の素子分離膜の縁部に接し且つ前記第2のゲート電極から離れた位置に配置されたアノード領域と、 前記半導体基板の上部に形成され、前記アノード領域に隣接して配置された第3の素子分離膜と、 前記半導体基板内に形成され、第2導電型不純物を含み、前記第3の素子分離膜に接触する第2のドレイン領域と、 前記半導体基板内に形成され、第2導電型不純物を含み、前記第2のボディ領域、前記アノード領域及び前記第2のドレイン領域に接する第2のドリフト領域とを有し、 前記第1のゲート電極と前記第1の素子分離膜との重なり幅をA1、前記第2のゲート電極と前記第2の素子分離膜との重なり幅をA2、前記第1のゲート電極と前記第1のドレイン領域との間隔をB1、前記第2のゲート電極と前記アノード領域との間隔をB2としたときに、A1≧A2、且つB1<B2の関係を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L27/06 311C ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 301D
Fターム (73件)：
5F038BH02 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AC06 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F048BH01 ,  5F048CC08 ,  5F048CC10 ,  5F048CC13 ,  5F048CC16 ,  5F048CC18 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA18 ,  5F140AA38 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140AB07 ,  5F140AB10 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH30 ,  5F140BH33 ,  5F140BH43 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140DA08
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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