ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 蛯谷厚志 , 胡田尚則 , 出野知 , 木村健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-156552
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022385
出願日： 2016年08月09日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：

【課題】製造後の半導体特性を維持することができるディスプレイ・デバイスのためのバリア材料を提供する。【解決手段】ディスプレイ・デバイス内の不動態化層として、1つ又は複数のシリコン含有層を形成する。ディスプレイ・デバイスは、透明金属酸化物層と、酸化ケイ素層と、窒化ケイ素層とを含む。ディスプレイ・デバイスは350°C以下の温度で堆積される。シリコン含有層は、約1.9g/cm3以上の密度、約4×1022cm-3以下の水素含有量、及びUV-可視光分光計によって測定したときに400〜700nmで約90%以上の透明度のうち1つ又は複数の特性を有する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

金属酸化物層を含む基材と、金属酸化物の少なくとも一部の上に堆積され、2.4g/cm3以上の密度及び4×1022cm-3以下の水素含有量を有する窒化ケイ素層とを含む、装置。

IPC (6件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , C23C 16/42 , C23C 16/50 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/318 B , H01L21/316 X , C23C16/42 , C23C16/50 , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A

Fターム (57件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BD00 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F110AA14 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (13件)

金属酸窒化物TFT用キャッピング層
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-516778 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-285533 出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
化学気相成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-126943 出願人：日本電気株式会社

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