PECVDによってSi-N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：堀明▲ひこ▼ , 井上克己 , 原口尚子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-193285
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054968
出願日： 2010年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】プラズマ励起化学蒸着(PECVD)により、半導体基板上にSi-N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。【解決手段】本方法は、窒素及び/または水素を含有する反応ガスと希ガスを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、RFパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、5秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にSi-N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

プラズマ励起化学蒸着(PECVD)により半導体基板上にSi-N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法であって、窒素及び/または水素を含有する反応ガスと希ガスとを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、 RFパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、5秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にSi-N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程と、を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/509

FI (4件)：

H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/42 , C23C16/509

Fターム (47件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA11 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045BB19 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EE14 , 5F045EE19 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F058BA09 , 5F058BA11 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (16件)

プラズマCVDによる成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277897 出願人：神港精機株式会社
シリコン窒化膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-045508 出願人：東京エレクトロン株式会社
低誘電率窒化ケイ素膜およびその形成方法、半導体装置およびその製造装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-521345 出願人：東京エレクトロン株式会社

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