特許
J-GLOBAL ID：201703020514707390
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-094401
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222871
特許番号：特許第6184057号
出願日： 2012年04月18日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 高耐圧トランジスタを備える半導体装置であり、
前記高耐圧トランジスタは、
主表面を有する半導体基板と、
前記主表面に形成された第1導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域内の前記主表面に形成された、ソース電極を取り出すための複数の第2導電型の第1の不純物領域と、
前記主表面に、前記第1の不純物領域と隣り合うように形成された、ドレイン電極を取り出すための第2導電型の第2の不純物領域とを含み、
前記半導体装置は、
平面視における1対の前記第1の不純物領域の間であり、かつ前記ウェル領域内の前記主表面に形成された、前記ウェル領域の電位を取り出すための第1導電型の第3の不純物領域と、
前記第1の不純物領域と前記第3の不純物領域との間の前記主表面上に形成された分離用ゲート電極とを有し、
前記第1の不純物領域は、低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域の内部に形成される高濃度不純物領域とを含み、
前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域とを跨ぐように前記主表面上に形成されるゲート電極をさらに有し、
前記分離用ゲート電極の延在する方向の両端部は、前記ゲート電極と平面的に重なるように配置される、半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 21/8244 ( 200 6.01)
, H01L 27/11 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 D
, H01L 29/78 301 R
, H01L 29/78 301 G
, H01L 27/092 B
, H01L 27/092 E
, H01L 27/092 F
, H01L 27/092 D
, H01L 29/44 Y
, H01L 27/10 481
, H01L 27/10 461
, H01L 27/11
, H01L 27/10 491
, H01L 21/76 S
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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