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J-GLOBAL ID：201802210817959586   整理番号：18A1790640

ケルビンプローブ力顕微鏡を用いた印加バイアス電圧下でのシリコン高速リカバリダイオードにおけるn^-層の検討

Investigation of an n^- layer in a silicon fast recovery diode under applied bias voltages using Kelvin probe force microscopy

著者 (4件)： URUMA Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SATOH Nobuo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hidekazu (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  IWATA Futoshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 8S1  ページ： 08NB11.1-08NB11.5  発行年： 2018年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *力顕微鏡 ,  *電圧 ,  ケイ素 ,  *ダイオード ,  *活性部位 ,  *電位分布 ,  PN接合 ,  電流電圧特性 ,  *Kelvinプローブ力顕微鏡
準シソーラス用語： *バイアス電圧 ,  *ステップリカバリダイオード ,  活性領域

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (32件)：

• N. Shibata, S. D. Findlay, H. Sasaki, T. Matsumoto, H. Sawada, Y. Kohno, S. Otomo, R. Minato, and Y. Ikuhara, Sci. Rep. 5, 10040 (2015).
• N. Chinone, K. Yamasue, Y. Hiranaga, K. Honda, and Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 101, 213112 (2012).
• M. Ito, K. Kobayashi, Y. Miyato, K. Matsushige, and H. Yamada, Appl. Phys. Lett. 102, 013115 (2013).
• H. Edwards, V. A. Ukraintsev, R. S. Martin, F. S. Johnson, P. Menz, S. Walsh, S. Ashburn, K. S. Wills, K. Harvey, and M. C. Chang, J. Appl. Phys. 87, 1485 (2000).
• K. Nakagami, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Appl. Phys. Lett. 85, 6028 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： ケルビンプローブ力顕微鏡 ,  印加 ,  バイアス電圧 ,  シリコン ,  リカバリ ,  ダイオード