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J-GLOBAL ID：201802250969986968   整理番号：18A0932086

高電子移動度(>1300cm²V^-1s^-1)を示す反応性イオンエッチGaN上に直接成長させたAlGaN層を持つAlGaN/GaNヘテロ構造

AlGaN/GaN heterostructures with an AlGaN layer grown directly on reactive-ion-etched GaN showing a high electron mobility (>1300 cm² V^-1 s^-1)

著者 (4件)： YAMAMOTO Akio (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  MAKINO Shinya (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KANATANI Keito (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4  ページ： 045502.1-045502.5  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,再成長させたGaN層を持たない反応性イオンエッチング(RIE)GaN表面上にAlGaN層を成長させて作製したAlGaN/GaN構造の金属-有機-気相-エピタキシャル成長挙動と電気的性質を調べた。AlGaN成長の直前に用いたNH₃+H₂雰囲気中でのRIE-GaN表面のアニーリングは,AlGaN成長のための清浄なGaN表面を得るための,すなわち,作製したAlGaN/RIE-GaN構造において1350cm²V^-1s^-1の高い電子移動度を得ることにおける重要なプロセスである。高電子移動度トランジスタ(HEMT)をAlGaN/RIE-GaNウエハで作製することに成功した。AlGaN/RIE-GaNウエハの表面に観察されたドット状欠陥の密度が減少すると,AlGaN/GaN構造の二次元電子ガス特性とHEMTのDC特性の両方が著しく改善された。ドット状欠陥密度は,成長ロットというよりもRIEロットに大きく依存しているので,RIE中のGaNの表面汚染は,ドット状欠陥の形成,したがって劣った電気的性質の原因であると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  RIE【エッチング】 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *アルミニウム化合物 ,  素子構造 ,  *薄膜成長 ,  エピタクシー ,  焼なまし ,  HEMT ,  二次元電子ガス ,  欠陥密度
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  反応性イオンエッチング ,  *AlGaN/GaN ,  ヘテロ構造 ,  エピタキシャル成長 ,  アニーリング ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (33件)：

• R S. Pengelly, S. M. Wood, J. W. Milligan, S. T. Sheppard, and W. L. Pribble, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012)
• J. W. Chung, W. E. Hoke, E. M. Chumbes, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 31. 195 (2010).
• M. Kuzuhara and H. Tokuda, IEEE Trans. Electron Devices 62, 405 (2015).
• M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 070101 (2016).
• I. Adesida, A. Mahajan, E. Adesida. M. A. Khan, D. T. Olsen, and J. N Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子移動度 ,  反応性 ,  イオンエッチ ,  GaN ,  成長 ,  AlGaN ,  ヘテロ構造