特許
J-GLOBAL ID:201803000940777718

マスクブランクス及びフォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 志賀 正武 ,  鈴木 慎吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-032442
公開番号(公開出願番号):特開2018-136504
出願日: 2017年02月23日
公開日(公表日): 2018年08月30日
要約:
【課題】フォトマスクに求められる露光波長域(365nm〜436nm)において高い透過率を備え、かつ、優れた耐薬品性も有する、マスクブランクスを提供する。【解決手段】本発明は、透明基板1(S)と、前記透明基板の一方の主面上に、導電層4、遮光層5、フォトレジスト層6Rが順に、重ねて配されてなるマスクブランクス10であって、前記導電層は、チタンと酸素に加えて、第三元素として、Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選択される1又は2以上の元素を含む透明導電膜である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
透明基板と、前記透明基板の一方の主面上に、導電層、遮光層、フォトレジスト層が順に、重ねて配されてなるマスクブランクスであって、 前記導電層は、チタンと酸素に加えて、第三元素として、Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選択される1又は2以上の元素を含む透明導電膜であることを特徴とするマスクブランクス。
IPC (1件):
G03F 1/40
FI (1件):
G03F1/40
Fターム (4件):
2H195BB25 ,  2H195BB35 ,  2H195BC05 ,  2H195BC17
引用特許:
審査官引用 (9件)
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