特許
J-GLOBAL ID：201803002133137147

固体撮像装置、および電子機器

発明者：
岡崎 裕美

岡崎 裕美 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-061210
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129525
出願日： 2018年03月28日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：
【課題】色バランスが良好で色つきの無い固体撮像装置を提供する。【解決手段】複数の画素が設けられた半導体層と、前記画素毎に前記半導体層内に設けられた光電変換部と、前記半導体層の受光面側に設けられた第1の溝型素子分離と、前記半導体層の前記受光面側の、前記第1の溝型素子分離とは異なる位置に設けられた第2の溝型素子分離と、前記第1の溝型素子分離から、第1の方向にずれた位置に形成された第1の遮光膜と、前記第2の溝型素子分離から、第2の方向にずれた位置に形成された第2の遮光膜と、を備え、前記第1の溝型素子分離と前記第2の溝型素子分離の内部には絶縁層が形成され、前記第1の方向と前記第2の方向は逆方向である固体撮像装置。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の画素が設けられた半導体層と、 前記画素毎に前記半導体層内に設けられた光電変換部と、 前記半導体層の受光面側に設けられた第1の溝型素子分離と、 前記半導体層の前記受光面側の、前記第1の溝型素子分離とは異なる位置に設けられた第2の溝型素子分離と、 前記第1の溝型素子分離から、第1の方向にずれた位置に形成された第1の遮光膜と、 前記第2の溝型素子分離から、第2の方向にずれた位置に形成された第2の遮光膜と、 を備え、 前記第1の溝型素子分離と前記第2の溝型素子分離の内部には絶縁層が形成され、 前記第1の方向と前記第2の方向は逆方向である 固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/369 ,  H01L 21/76
FI (5件)：
H01L27/146 A ,  H04N5/369 ,  H01L21/76 M ,  H01L21/76 L ,  H01L27/146 D
Fターム (27件)：
4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5F032AA35 ,  5F032AA39 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032AA54 ,  5F032AB02 ,  5F032BB01 ,  5F032DA02
引用特許：
審査官引用 (17件)
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