特許
J-GLOBAL ID：201803004860985854
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-243413
公開番号（公開出願番号）：特開2015-103677
特許番号：特許第6327548号
出願日： 2013年11月26日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ソース電極及びドレイン電極と、
インジウムを含む金属酸化物半導体層と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられ、酸化タンタルからなるバリア層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられた絶縁体層と
を有する薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 618 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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