特許
J-GLOBAL ID：201803005041471155
トポグラフィック属性を利用した欠陥分類
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-099680
公開番号（公開出願番号）：特開2013-236087
特許番号：特許第6262942号
出願日： 2013年04月18日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 分類方法であって、
処理装置により、対象位置を含む半導体ウェハ領域の3次元(3D)マップを受け取る段階と、
多項方程式を用いた3D形状の前記対象位置への近似に基づいて、前記対象位置に対応する3D形状を生成する段階と、ここで、前記多項方程式を用いて近似された3D形状は、第1の方向における前記3D形状のトポグラフィック表面の勾配と、第2の方向における前記3D形状の前記トポグラフィック表面の別の勾配とを測定するのに使用される平面成分を表し、
前記処理装置により、前記対象位置に近似された前記3D形状のトポグラフィック表面に基づいて、前記対象位置の属性に対する値を計算する段階と、
前記対象位置へ近似された前記3D形状の前記トポグラフィック表面に基づいて計算された前記値に基づいて、前記半導体ウェハ上の前記対象位置に対応する欠陥を分類する段階と、
を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 21/956 ( 200 6.01)
H01L 21/66 J
, G01N 21/956 A
, H01L 21/66 Z
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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