半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-080026
公開番号（公開出願番号）：特開2016-131258
特許番号：特許第6224157号
出願日： 2016年04月13日
公開日（公表日）： 2016年07月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電界効果トランジスタを有する半導体回路を形成する工程と、前記電界効果トランジスタのフローティング電極に電荷を帯電させる工程と、前記帯電工程の後、前記半導体回路を遮光膜で覆う工程と、を有し、前記電界効果トランジスタは、半導体層と、前記半導体層と接する領域を有する第1の導電層と、前記半導体層と接する領域を有する第2の導電層と、前記半導体層上方に設けられ、且つ前記半導体層と重なる領域を有する第3の導電層と、を有し、前記フローティング電極は、前記半導体層と前記第3の導電層との間に設けられ、前記フローティング電極は、前記半導体層を横切るように設けられ、前記帯電工程の後、前記フローティング電極に蓄積された電荷量は、変更されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (11件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/8242 ( 200 6.01) , H01L 27/108 ( 200 6.01) , H01L 29/788 ( 200 6.01) , H01L 29/792 ( 200 6.01) , H01L 27/115 ( 201 7.01) , H01L 27/1156 ( 201 7.01)

FI (10件)：

H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 618 B , H01L 27/06 102 A , H01L 27/088 331 E , H01L 27/088 E , H01L 27/088 H , H01L 27/108 321 , H01L 27/108 671 Z , H01L 29/78 371 , H01L 27/115

引用特許：

審査官引用 (8件)

電界効果トランジスタおよび半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-192413 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-253866 出願人：日本電気株式会社
シリサイド反応を利用した半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-277995 出願人：大見忠弘

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