グラフェン形成のための方法およびシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 池田浩 , 福井敏夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-558853
特許番号：特許第6262156号
出願日： 2013年02月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】グラフェンを形成する方法であって、該方法は、基板を用意するステップと、前記基板を減圧環境に置くステップと、キャリアガスを供給するステップと、炭素源を供給するステップと、前記基板の少なくとも一部を前記キャリアガス、前記炭素源および窒素ガスに晒すステップと、前記基板の少なくとも一部にCMOS互換表面処理プロセスを行うステップと、 CMOS互換成長プロセスにより、前記炭素源の一部を前記基板の前記少なくとも一部上でグラフェンに変換するステップと、を含み、前記グラフェンに対するラマンスペクトルは、グラファイトに関連する第2のラマンピークに対する、欠陥に関連する第1のラマンピークの比が1未満であることにより特徴付けられる方法。

IPC (1件)：