特許
J-GLOBAL ID：201803008859036887
記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岩田 雅信
, 中川 裕人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-217702
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072392
特許番号：特許第6244617号
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 膜面に垂直な磁化を有し、複数層の強磁性層を非磁性層を介して積層させた構造を有し情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層と
を有する層構造を備え、
上記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、
上記磁化固定層が少なくとも2層の強磁性層と、非磁性層とから成る積層フェリピン構造を有しており、
上記磁化固定層中の上記絶縁層と接する磁性材料がCoFeB磁性層で構成され、
上記磁化固定層中の上記絶縁層と接しない磁性材料が、Pt族金属元素と、3d遷移金属元素のうちの強磁性元素である強磁性3d遷移金属元素とを少なくとも1種類ずつ用いた合金又は積層構造とされ、且つ上記Pt族金属元素の原子濃度が上記強磁性3d遷移金属元素よりも低いものとされ、
上記Pt族金属元素と上記強磁性3d遷移金属元素とを少なくとも1種類ずつ用いた上記磁性材料において、上記Pt族金属元素の原子濃度が10%未満である
記憶素子。
IPC (8件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 43/10 ( 200 6.01)
, G11B 5/39 ( 200 6.01)
, H01F 10/32 ( 200 6.01)
, H01F 10/16 ( 200 6.01)
H01L 27/105 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 M
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 10/16
