特許
J-GLOBAL ID：201803009695783720

磁気抵抗センサ

発明者：
リカルド、アレシャンドレ、デ、マトス、アントゥネス、フェレイラ

リカルド、アレシャンドレ、デ、マトス、アントゥネス、フェレイラ について

, 
エルビラ、ペレス、デ、コロシア、パス

エルビラ、ペレス、デ、コロシア、パス について


出願人/特許権者：
アイエヌエル-インターナショナル、イベリアン、ナノテクノロジー、ラボラトリー

アイエヌエル-インターナショナル、イベリアン、ナノテクノロジー、ラボラトリー について


代理人 (5件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  吉田 昌司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-516625
公開番号（公開出願番号）：特表2018-517225
出願日： 2016年06月08日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：
磁気抵抗センサが提供される。この磁気抵抗センサは、磁気感知層と、磁気基準層と、磁気感知層と磁気基準層との間のトンネル・バリア層とを備える。この磁気抵抗センサは、反強磁性材料の層を有する感知交換層も備える。感知交換層は、磁気感知層と交換結合されている。また、磁気抵抗センサは、反強磁性材料の層を有する基準交換層をさらに備える。基準交換層は、磁気基準層と交換結合されている。さらに、磁気抵抗センサは、外部磁場が不在の場合には、基準層を固定する交換バイアスが基準方向に沿って存在し、感知層を固定する交換バイアスが基準方向と直交する第1の方向に沿って存在し、感知層の磁気異方性が第1の方向と平行であるように、構成されている。
請求項（抜粋）：
磁気感知層と、 磁気基準層と、 前記磁気感知層と前記磁気基準層との間のトンネル・バリア層と、 反強磁性材料の層を有し、前記磁気感知層と交換結合された感知交換層と、 反強磁性材料の層を有し、前記磁気基準層と交換結合された基準交換層と、 を備え、 外部磁場が不在の場合には、 前記基準層を固定する交換バイアスが、基準方向に沿って存在し、 前記感知層を固定する交換バイアスが、前記基準方向と直交する第1の方向に沿って存在し、 前記感知層の磁気異方性が、前記第1の方向と平行である、磁気抵抗センサ。
IPC (1件)：
G11B 5/39
FI (1件)：
G11B5/39
Fターム (6件)：
5D034BA04 ,  5D034BA11 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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