特許
J-GLOBAL ID：201803012582623493

縦型電力装置内の表面装置

発明者：
ハリントン サード、トーマス、イー.

ハリントン サード、トーマス、イー. について

, 
チュー、ジジュン

チュー、ジジュン について


出願人/特許権者：
ディー スリー セミコンダクター エルエルシー

ディー スリー セミコンダクター エルエルシー について


代理人 (1件)： 矢口 太郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-545244
公開番号（公開出願番号）：特表2018-511168
出願日： 2016年02月26日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
要約：
【解決手段】 半導体装置は、超接合MOSFET、IGBT、ダイオードなどの縦型電力装置と、半導体装置の上面に沿って電気的に活性である1若しくはそれ以上の横型装置を有する表面装置とを有する。 【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、 前記半導体装置の縦軸に沿って電気的に活性であり、前記半導体装置の裏面に少なくとも1つの1次電気端子を有する縦型電力装置と、 前記半導体装置の上面に沿って電気的に活性である1若しくはそれ以上の横型装置を有する表面装置と を有する半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/786
FI (18件)：
H01L27/088 E ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/91 D ,  H01L27/088 331E ,  H01L29/06 301V ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/04 U ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 656C ,  H01L29/78 656E ,  H01L29/78 655A ,  H01L27/092 B ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/91 K ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/04 H
Fターム (66件)：
5F038AZ08 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038CA08 ,  5F038DF03 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA06 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BC12 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BD10 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE05 ,  5F048BE06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048CA01 ,  5F048CB07 ,  5F110AA04 ,  5F110AA11 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110EE09 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM