特許
J-GLOBAL ID：201003044983294093

半導体装置

発明者：
藤岡 靖秀

藤岡 靖秀 について

, 
近藤 勝則

近藤 勝則 について


出願人/特許権者：
ミツミ電機株式会社

ミツミ電機株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-318362
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141244
出願日： 2008年12月15日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】本発明は、SOI基板を用い、1枚の基板上に実際の装置に独立して適用可能なドライバ機能を搭載した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】支持シリコン基板31の上面に酸化膜32が積層され、該酸化膜32の上面に活性シリコン層33が積層されたSOI基板30、30a、30bに形成された半導体装置50、50a〜50dであって、 前記SOI基板30、30a、30bの表面40は、前記支持シリコン基板31が露出した支持シリコン基板露出領域41と、前記活性シリコン層33が形成された活性シリコン層領域42、43とを有し、 前記支持シリコン基板露出領域41又は前記活性シリコン層領域42、43の一方には出力回路10、10a〜10eが形成され、他方には該出力回路10、10a〜10eを駆動制御する制御回路20、20a〜20dが形成されたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持シリコン基板の上面に酸化膜が積層され、該酸化膜の上面に活性シリコン層が積層されたSOI基板に形成された半導体装置であって、 前記SOI基板の表面は、前記支持シリコン基板が露出した支持シリコン基板露出領域と、前記活性シリコン層が形成された活性シリコン層領域とを有し、 前記支持シリコン基板露出領域又は前記活性シリコン層領域の一方には出力回路が形成され、他方には該出力回路を駆動制御する制御回路が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/10
FI (8件)：
H01L27/08 102A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 656F ,  H01L27/10 461
Fターム (31件)：
5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC06 ,  5F048AC07 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BC18 ,  5F048BD07 ,  5F048CB07 ,  5F083EP00 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110DD22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110NN74
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (14件)
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