窒化物半導体ウェハのマーキング方法および識別符号付き窒化物半導体ウェハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-005386
公開番号（公開出願番号）：特開2014-138057
特許番号：特許第6232186号
出願日： 2013年01月16日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】厚さが250μm以上の窒化物半導体ウェハに、周波数25kHz以上40kHz以下のレーザ光を照射してマーキング深さが20μm以上の識別符号をマーキングし、前記識別符号をマーキングしていない平坦面からの前記識別符号周辺の盛り上がり高さを3μm以下とすることを特徴とする窒化物半導体ウェハのマーキング方法。

IPC (2件)：