特許
J-GLOBAL ID：201803015294297467
半導体光素子及び半導体光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-076605
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137472
出願日： 2018年04月12日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：
【課題】素子抵抗がより低減された光通信用の半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子は、電子とホールの再結合により発光する活性層(306)と、発光した光の出力波長に応じてピッチが定められた回折格子(309)と、回折格子上に形成され、少なくともAlを含み、In及びV族化合物からなる第1半導体層(311)と、第1半導体層(311)上に形成され、Mgを含むIn及びV族化合物からなる第2半導体層(307)と、を備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電子とホールの再結合により発光する活性層と、
前記発光した光の出力波長に応じてピッチが定められた回折格子と、
前記回折格子に接し前記回折格子上に形成され、少なくともAlを含み、In及びV族化合物からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成され、Mgを含むIn及びV族化合物からなる第2半導体層と、を備え、
前記第1半導体層の厚さは、0.3nm以上5nm以下である、ことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (27件)：
5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AA15
, 5F045AB12
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC13
, 5F045AC19
, 5F045AD01
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA55
, 5F045DA59
, 5F045DA66
, 5F173AA26
, 5F173AB13
, 5F173AD14
, 5F173AG24
, 5F173AH14
, 5F173AJ01
, 5F173AP05
, 5F173AP23
, 5F173AP30
, 5F173AP60
, 5F173AR64
