特許
J-GLOBAL ID：201803015891160405
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-099969
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129558
出願日： 2018年05月24日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：
【課題】複数の絶縁層を含む積層構造を有し、ゲートトレンチの開口端側エッジ部を被覆する部分およびゲートトレンチの底面側エッジ部を被覆する部分が凸湾曲状に形成された構造を有するゲート絶縁層を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、ゲートトレンチ4が形成されたSiCエピタキシャル層3と、下地SiO2膜10およびAlON膜11を含む積層構造を有し、ゲートトレンチ4の内面およびSiCエピタキシャル層3の表面に沿って形成されたゲート絶縁膜9と、ゲート絶縁膜9を介してゲートトレンチ4に埋め込まれたゲート電極13と、を含み、AlON膜11においてゲートトレンチ4の開口端側エッジ部を被覆する部分は、ゲートトレンチ4の内方に向かう凸湾曲状に形成されており、AlON膜11においてゲートトレンチ4の底面側エッジ部を被覆する部分は、ゲートトレンチ4の外方に向かう凸湾曲状に形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiCからなり、側面および底面を有するゲートトレンチが形成された半導体層と、
前記半導体層側からこの順に積層された第1絶縁層および第2絶縁層を含む積層構造を有し、前記ゲートトレンチの側面および底面、ならびに、前記半導体層の表面に沿って形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲートトレンチに埋め込まれたゲート電極と、を含み、
前記ゲート絶縁層の前記第2絶縁層において前記ゲートトレンチの側面および前記半導体層の表面を接続する前記ゲートトレンチの開口端側エッジ部を被覆する部分は、前記ゲートトレンチの内方に向かう凸湾曲状に形成されており、
前記ゲート絶縁層の前記第2絶縁層において前記ゲートトレンチの側面および底面を接続する前記ゲートトレンチの底面側エッジ部を被覆する部分は、前記ゲートトレンチの外方に向かう凸湾曲状に形成されている、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/12
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 658F
