特許
J-GLOBAL ID：200903035628754369

MIS型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
太田 裕朗

太田 裕朗 について

, 
高須 秀視

高須 秀視 について

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大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-056430
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078604
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】パワーデバイスへの適用に適したIII-V族窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】この電界効果トランジスタは、サファイア基板1上に窒化物半導体積層構造部2を配置して構成されている。窒化物半導体積層構造部2は、N型GaN層5、このN型GaN層5に積層されたP型GaN層6、およびこのP型GaN層6に積層されたN型GaN層7を有している。窒化物化合物半導体積層構造部2には、断面V字形のトレンチ16が形成されており、このトレンチ16の側壁は、N型GaN層5、P型GaN層6およびN型GaN層7に跨る壁面17を形成している。この壁面17にゲート絶縁膜が形成され、さらに、このゲート絶縁膜19を挟んで壁面17に対向するようにゲート電極20が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1III-V族窒化物半導体層、この第1III-V族窒化物半導体層に積層された第2導電型の第2III-V族窒化物半導体層、およびこの第2III-V族窒化物半導体層に積層された前記第1導電型の第3III-V族窒化物半導体層を含む窒化物半導体積層構造部と、 前記第1、第2および第3III-V族窒化物半導体層に跨って形成された壁面に、これら第1、第2および第3III-V族窒化物半導体層に跨るように形成されたゲート絶縁膜と、 このゲート絶縁膜を挟んで前記第2III-V族窒化物半導体層に対向するように形成された導電性材料からなるゲート電極と、 前記第1III-V族窒化物半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、 前記第3III-V族窒化物半導体層に電気的に接続されたソース電極と、を含む、MIS型電界効果トランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (11件)：
H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 626A
Fターム (38件)：
5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA05 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA17 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048CB07 ,  5F110AA30 ,  5F110CC09 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF31 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HM07 ,  5F110HM12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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