特許
J-GLOBAL ID：201803016448971430
量子ドットナノワイヤの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-235267
公開番号（公開出願番号）：特開2016-100427
特許番号：特許第6271401号
出願日： 2014年11月20日
公開日（公表日）： 2016年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上に触媒金属の微粒子を配置する第1工程と、
前記微粒子を配置した前記基板の上に有機金属から構成された第1原料ガス群および第2原料ガス群を交互に供給し、前記微粒子を触媒として前記第1原料ガス群および前記第2原料ガス群より結晶化した第1化合物半導体からなる第1結晶部および第2化合物半導体からなる第2結晶部が交互に積層した超格子構造の下部ナノワイヤ部を形成する第2工程と、
前記下部ナノワイヤ部が形成された前記基板の上に有機金属から構成された第3原料ガス群を供給し、前記微粒子を触媒として前記第3原料ガス群が結晶化した第3化合物半導体からなる量子ドットを前記下部ナノワイヤ部の上に形成する第3工程と、
前記下部ナノワイヤ部および前記量子ドットが形成された前記基板の上に、前記第1原料ガス群および前記第2原料ガス群を交互に供給し、前記微粒子を触媒として前記第1結晶部および前記第2結晶部が交互に積層した超格子構造の上部ナノワイヤ部を前記量子ドットの上に形成する第4工程と
を備え、
バンドギャップエネルギーの大小関係は、前記第1結晶部>前記第2結晶部>前記量子ドットとし、
前記第2結晶部の成長において、前記第2原料ガス群の前記第1原料ガス群と異なる原料ガスは1秒以下のパルス状に供給し、
前記第1化合物半導体は、InPであり、
前記第2化合物半導体および前記第3化合物半導体は、InAsPである
ことを特徴とする量子ドットナノワイヤの製造方法。
IPC (9件)：
H01L 33/06 ( 201 0.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 33/30 ( 201 0.01)
, B82Y 20/00 ( 201 1.01)
, B82Y 30/00 ( 201 1.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 33/06
, H01L 21/205
, H01L 33/30
, B82Y 20/00
, B82Y 30/00
, B82Y 40/00
, H01L 21/20
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/06 601 N
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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