半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217209
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035936
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】窒化物系半導体または亜鉛化物系半導体を用いた半導体発光素子のフォトルミネッセンス幅を狭くする。【解決手段】バッファ層22、障壁層23、井戸層24、障壁層25およびキャップ層26を結晶成長用基板21上に順次積層することにより、井戸層24は井戸層24よりもエネルギーギャップの大きな障壁層23、25にて挟み込み、バッファ層22、障壁層23、井戸層24、障壁層25およびキャップ層26の両端部を切り落とすことにより、柱状量子井戸構造27を結晶成長用基板21上に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光現象を引き起す活性層が柱状量子井戸構造を持つことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 , H01L 33/00 , H01S 5/12 , H01S 5/183

FI (4件)：

H01S5/343 610 , H01L33/00 C , H01S5/12 , H01S5/183

Fターム (13件)：

5F041AA11 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F173AB13 , 5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AF08 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AH47 , 5F173AR99

引用特許：

審査官引用 (8件)

III族窒化物量子ドットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-292052 出願人：財団法人名古屋産業科学研究所
半導体量子箱構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000200 出願人：日本電信電話株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-113389 出願人：株式会社日立製作所

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