特許
J-GLOBAL ID:201803017951258100
近接近の間接暴露を利用する、ポリマー材料の大気圧プラズマ処理
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (3件):
村山 靖彦
, 実広 信哉
, 阿部 達彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-543102
特許番号:特許第6257639号
出願日: 2013年11月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】(i)被加工物を処理するための入口及び出口と、プラズマを発生させるための非対称な電極組立体とを有する内部の処理容積と、(ii)前記内部の処理容積を加熱するための中間の加熱容積とを含む処理チャンバと、
前記内部の処理容積の中への、少なくとも1つの処理ガス入口と、を備え、
前記非対称な電極組立体は誘電体障壁の表面上の互いから分離された少なくとも2つのプラズマ発生電極を備え、前記プラズマ発生電極の非対称な形状を提供するために前記少なくとも2つのプラズマ発生電極が幅及び長手方向の寸法の少なくとも一つにおいて異なる、プラズマ処理装置。
IPC (4件):
H05H 1/24 ( 200 6.01)
, H05H 1/30 ( 200 6.01)
, C08J 7/00 ( 200 6.01)
, B01J 19/08 ( 200 6.01)
FI (7件):
H05H 1/24
, H05H 1/30
, C08J 7/00 306
, C08J 7/00 CEP
, C08J 7/00 CEY
, C08J 7/00 CFJ
, B01J 19/08 E
引用特許:
審査官引用 (10件)
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プラズマ発生用電極装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-021472
出願人:日本碍子株式会社
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大気圧低温プラズマ殺菌方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-232016
出願人:四国化工機株式会社, 鯉沼秀臣, 内藤寿夫
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-264074
出願人:シャープ株式会社
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