特許
J-GLOBAL ID：201803021377825708

化合物半導体装置

発明者：
小谷 淳二

小谷 淳二 について

, 
中村 哲一

中村 哲一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-174655
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213507
特許番号：特許第6233476号
出願日： 2016年09月07日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 AlNを材料とする第1のバッファ層と、 前記第1のバッファ層の上方に設けられ、AlGaNを材料とする第2のバッファ層と、 前記第2のバッファ層の上方に設けられ、前記第2のバッファ層と接する面の近傍において炭素を含有した電子走行層と を有し、 前記第1のバッファ層に含まれる炭素濃度は、前記第2のバッファ層に含まれる炭素濃度よりも低く、 前記電子走行層の前記第2のバッファ層と接する面の近傍において含有する炭素の濃度は、前記第2のバッファ層に含まれる炭素濃度よりも高いことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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