半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-093843
公開番号（公開出願番号）：特開2018-121090
特許番号：特許第6542428号
出願日： 2018年05月15日
公開日（公表日）： 2018年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下層電極と、前記下層電極の表面の一部に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の表面の一部に形成された上層電極と、前記上層電極および前記第1の絶縁膜の表面の他部を被覆する第2の絶縁膜と、前記下層電極の表面の他部を被覆する第3の絶縁膜と、を備え、前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜の材料が異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：