特許
J-GLOBAL ID：201903014425312638
半導体光素子及び半導体光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-076605
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137472
特許番号：特許第6585764号
出願日： 2018年04月12日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電子とホールの再結合により発光する活性層と、
前記発光した光の出力波長に応じてピッチが定められた回折格子と、
前記回折格子に接し前記回折格子上に形成され、少なくともAlを含み、In及びV族化合物からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成され、Mgを含むIn及びV族化合物からなる第2半導体層と、を備え、
前記第1半導体層の厚さは、0.3nm以上5nm以下であり、
前記第1半導体層のAlの濃度は、1×1016以上1×1020cm-3以下である、
ことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
