半導体レーザ及び光通信装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-041105
公開番号（公開出願番号）：特開2019-160842
出願日： 2018年03月07日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
要約：

【課題】反射戻り光の入射を抑制することができ、温度変化した場合においても、安定したレーザ発振を得ることのできる半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体基板の一方の面の側に活性層が形成されている半導体レーザであって、第1の回折格子層が形成されている一方の端面の側の第1の領域と、第2の回折格子層が形成されている他方の端面の側の第2の領域と、前記一方の端面に形成された反射膜と、前記他方の端面に形成された反射防止膜と、を有し、前記第1の回折格子層及び前記第2の回折格子層により各々回折格子が形成されるものであって、前記第1の回折格子層の周期は、所定の周期で形成されており、前記第2の回折格子層の周期は、所定の範囲内において変化しており、前記第1の回折格子層の周期は、前記第2の回折格子層の周期の前記所定の範囲内に含まれていることを特徴とする半導体レーザにより上記課題を解決する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の面の側に活性層が形成されている半導体レーザであって、第1の回折格子層が形成されている一方の端面の側の第1の領域と、第2の回折格子層が形成されている他方の端面の側の第2の領域と、前記一方の端面に形成された反射膜と、前記他方の端面に形成された反射防止膜と、を有し、前記第1の回折格子層及び前記第2の回折格子層は同一面上に隣接して形成され、前記第1の回折格子層及び前記第2の回折格子層には各々回折格子が形成されており、前記第1の回折格子層に形成された回折格子の周期は、一定の周期で形成されており、前記第2の回折格子層に形成された回折格子の周期は、前記一定の周期を含む所定の範囲において変化していることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/12 , H01S 5/022 , G02F 1/01

FI (3件)：

H01S5/12 , H01S5/022 , G02F1/01 B

Fターム (36件)：

2K102AA21 , 2K102BA02 , 2K102BB01 , 2K102BB04 , 2K102BC04 , 2K102BD01 , 2K102EA21 , 2K102EB16 , 2K102EB20 , 5F173AA26 , 5F173AA47 , 5F173AB13 , 5F173AB23 , 5F173AB24 , 5F173AB74 , 5F173AD30 , 5F173AF43 , 5F173AH14 , 5F173AL04 , 5F173AL05 , 5F173AL12 , 5F173AP05 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AP37 , 5F173AP64 , 5F173AP82 , 5F173AR03 , 5F173AR13 , 5F173AR70 , 5F173MA02 , 5F173MD03 , 5F173MD33 , 5F173MD34 , 5F173MF04 , 5F173MF05

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザ素子、及び光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2017-085633 出願人：日本オクラロ株式会社
分布帰還型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-079978 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-062390

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