特許
J-GLOBAL ID：201903019703667126

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者：
磯部 康裕

磯部 康裕 について

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杉山 直治

杉山 直治 について

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酒井 隆行

酒井 隆行 について

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須黒 恭一

須黒 恭一 について


出願人/特許権者：
東芝デバイス&ストレージ株式会社

東芝デバイス&ストレージ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-037659
公開番号（公開出願番号）：特開2019-153691
出願日： 2018年03月02日
公開日（公表日）： 2019年09月12日
要約：
【課題】 III族窒化物半導体層を効率的に成長させることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る半導体装置の製造方法は、窒素ガスとアンモニアガスとを含有する第1ガスをプラズマ化する工程と、第1ガスのプラズマ化によって生成された窒素含有ラジカルを含有する第2ガスを基板30に供給する工程と、III族金属元素を含有する有機金属ガスを基板30に供給する工程と、第2ガス及び有機金属ガスにより、基板30上にIII族窒化物半導体層を形成する工程とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒素ガスとアンモニアガスとを含有する第1ガスをプラズマ化する工程と、 前記第1ガスのプラズマ化によって生成された窒素含有ラジカルを含有する第2ガスを基板に供給する工程と、 III族金属元素を含有する有機金属ガスを前記基板に供給する工程と、 前記第2ガス及び前記有機金属ガスにより、前記基板上にIII族窒化物半導体層を形成する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/455 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46 M ,  H05H1/46 A
Fターム (66件)：
2G084AA05 ,  2G084BB02 ,  2G084BB11 ,  2G084CC05 ,  2G084CC08 ,  2G084CC12 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD15 ,  2G084DD23 ,  2G084DD55 ,  2G084FF02 ,  2G084FF07 ,  2G084FF13 ,  2G084FF15 ,  2G084FF23 ,  2G084FF31 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE03 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EH06 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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