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J-GLOBAL ID：202002280623347328   整理番号：20A0739904

グラフェン系の対称,非対称な磁気抵抗接合

Graphene-based Symmetric and Non-Symmetric Magnetoresistive Junctions

著者 (3件)： HASHMI Arqum (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NAKANISHI Kenta (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  ONO Tomoya (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 89  号： 3  ページ： 034708.1-034708.7  発行年： 2020年03月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン(Gr)系の磁気トンネル接合(MTJ)におけるスピン偏極輸送特性を理解するため,非平衡Green関数法と組み合わせた第一原理研究を行った。著者らの系統的な比較研究は,両側がNi電極である接合(対称接合)に限られず,一つの側がNi,他の側がCoの接合(非対称接合)も行った。電極間の低い磁気交換結合にもかかわらず,スピンフィルタリングは電極材料に極めて敏感である。Gr π状態の対称,非対称接合との明瞭な混成を観測した。Gr系の接合はより高い透過スペクトルを示し,これは電極材料に関係なく低い接触抵抗を示している。さらに,輸送特性に対する電極層の異なる積層の影響も検討した。Gr系MTJのトンネル磁気抵抗比は,電極のFermi面により大きく影響される。対称,非対称接合の両方は,界面の両側における電極の波動関数の不適合性が原因となった明瞭な選択則を見せる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 磁気抵抗素子 ,  *グラフェン ,  トンネル接合 ,  ニッケル ,  コバルト ,  電極材料 ,  スペクトル ,  トンネル効果 ,  磁気抵抗効果 ,  Fermi面 ,  式 ,  強磁性体 ,  バンド構造
準シソーラス用語： Diracコーン ,  Landauer公式 ,  *トンネル磁気抵抗効果 ,  *磁気トンネル接合 ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

引用文献 (37件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
• K. Watanabe, T. Taniguchi, and H. Kanda, Nat. Mater. 3, 404 (2004).
• X. Xu, W. Yao, D. Xiao, and T. F. Heinz, Nat. Phys. 10, 343 (2014).
• L. Li, Y. Yu, G. J. Ye, Q. Ge, X. Ou, H. Wu, D. Feng, X. H. Chen, and Y. Zhang, Nat. Nanotechnol. 9, 372 (2014).
• M. Julliere, Phys. Lett. A 54, 225 (1975).

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  対称 ,  非対称 ,  磁気抵抗