特許
J-GLOBAL ID：202003001153544948
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松阪 正弘
, 田中 勉
, 井田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-114779
公開番号（公開出願番号）：特開2019-220514
出願日： 2018年06月15日
公開日（公表日）： 2019年12月26日
要約：
【課題】基板の一の主面において、酸化液により周縁部を保護しつつ、処理領域を適切にエッチングする。【解決手段】基板処理装置では、基板9の上面91を酸化させる酸化液82を、回転する基板9に向けてノズルから吐出することにより、上面91の周縁部93に酸化液82を供給する工程と、上面91をエッチングするエッチング液81を、回転する基板9に向けてノズルから吐出することにより、上面91において周縁部93の内側に位置する処理領域95にエッチング液81を供給する工程とが行われる。これにより、上面91において、酸化液82により周縁部93を保護しつつ、処理領域95を適切にエッチングすることができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板処理方法であって、
a)円板状の基板を水平状態で回転しつつ、前記基板の一の主面を酸化させる酸化液を、前記基板に向けてノズルから吐出することにより、前記一の主面の周縁部に前記酸化液を供給する工程と、
b)前記基板を水平状態で回転しつつ、前記一の主面をエッチングするエッチング液を、前記基板に向けてノズルから吐出することにより、前記一の主面において前記周縁部の内側に位置する処理領域に前記エッチング液を供給する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304
H01L21/306 R
, H01L21/306 A
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 651B
5F043AA10
, 5F043BB03
, 5F043DD07
, 5F043DD13
, 5F043DD30
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F157AA12
, 5F157AA13
, 5F157AA14
, 5F157AA15
, 5F157AA63
, 5F157AB02
, 5F157AB14
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC26
, 5F157BB23
, 5F157BB24
, 5F157BE23
, 5F157BF39
, 5F157CB03
, 5F157CB13
, 5F157CB14
, 5F157DB54
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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