半導体デバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-163987
公開番号（公開出願番号）：特開2021-044327
出願日： 2019年09月09日
公開日（公表日）： 2021年03月18日
要約：

【課題】SILCの発生が抑制された半導体デバイスを提供すること。【解決手段】ゲート電極および半導体チャネルを含むMOSトランジスタ構造を有する半導体デバイスであって、上記半導体チャネルの上記ゲート電極側の表面は、この表面の原子間力顕微鏡画像を300nm以上の長波長成分をカットするガウシアンフィルタによるハイパスフィルタ処理によって得られた画像において求められる二乗平均粗さRqが0.10nm以下である半導体デバイス。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ゲート電極および半導体チャネルを含むMOSトランジスタ構造を有する半導体デバイスであって、前記半導体チャネルの前記ゲート電極側の表面は、該表面の原子間力顕微鏡画像を300nm以上の長波長成分をカットするガウシアンフィルタによるハイパスフィルタ処理によって得られた画像において求められる二乗平均粗さRqが0.10nm以下である半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L29/78 301H , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568 , H01L29/78 371

Fターム (28件)：

5F083EP02 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP76 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F101BA02 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BD30 , 5F140AA06 , 5F140AA23 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA10 , 5F140BA12 , 5F140BA13 , 5F140BC15 , 5F140BC17 , 5F140BF01 , 5F140BF05

引用特許：

審査官引用 (7件)

平滑なウェハの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-544170 出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
表面粗さ測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306414 出願人：株式会社ミツトヨ
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-138806 出願人：株式会社日立製作所

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