CMOSにおいてキャリア移動度を向上させる方法(MOSFETデバイスの圧縮SiGe<110>成長および構造)

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-518341
公開番号（公開出願番号）：特表2008-504695
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】 CMOSにおいてホールおよび電子の移動度を向上させる方法を提供する。【解決手段】キャリアを伝導させるための構造およびこれを形成するための方法を記載する。これは、 <110>において上面を有するSiまたはSiGeの単結晶基板と、この基板とはGe濃度が異なるSiGeの擬似格子整合またはエピタキシャル層と、を含み、これによって擬似格子整合層に歪みがかかっている。半導体エピタキシャル層を形成するための方法を記述する。これは、急速熱化学的気相堆積(RTCVD)ツールにおいて擬似格子整合またはエピタキシャル層を形成するステップを含み、ツール内の温度を約600°Cまで上昇させ、Si含有ガスおよびGe含有ガスの双方を導入する。エピタキシャル堆積のために基板を化学的に準備するための方法を記述する。これは、基板を、オゾン、希薄HF、脱イオン化水、HCl酸および脱イオン化水を含む一連の槽にそれぞれ浸漬し、その後、基板を不活性雰囲気において乾燥させて、不純物のない、RMS粗さが約0.1nm未満の基板表面を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

キャリアを伝導するための構造であって、 <110>において上面を有するSiまたはSiGeの単結晶基板と、前記基板の上に形成したSiGeの擬似格子整合層であって、前記基板よりもGe濃度が高く、これによって圧縮性の歪みがかかっている、擬似格子整合層と、を含む、構造。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L29/78 301B

Fターム (23件)：

5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG38 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F152LL03 , 5F152LN08 , 5F152LN11 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN27 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-167399 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-245048 出願人：株式会社東芝
超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-254050 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道

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