特許
J-GLOBAL ID:202103018359843230 導電体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者: 代理人 (1件):
特許業務法人グランダム特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-174591
公開番号(公開出願番号):特開2019-050160
特許番号:特許第6871614号
出願日: 2017年09月12日
公開日(公表日): 2019年03月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 金属で形成された基体の表面にグラフェン層を成長させる第1グラフェン層成長工程と、
前記第1グラフェン層成長工程の後に、表面にメッキにより被覆層を形成する第1被覆層形成工程と、
を備え、
前記第1被覆層形成工程は電解メッキであるパルスメッキにより前記被覆層を形成し、
前記第1被覆層形成工程における前記パルスメッキのデューティ比は、35%〜17%であることを特徴とする導電体の製造方法。
IPC (6件):
H01B 5/02 ( 200 6.01)
, H01F 5/00 ( 200 6.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
, C23C 16/26 ( 200 6.01)
, B32B 1/08 ( 200 6.01)
, B32B 15/04 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01B 5/02 A
, H01F 5/00 F
, H01B 13/00 501 E
, H01B 13/00 501 A
, C23C 16/26
, B32B 1/08 Z
, B32B 15/04 B
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