特許
J-GLOBAL ID：202103019090860457
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-238019
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098227
特許番号：特許第6922202号
出願日： 2016年12月07日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の炭化珪素半導体基板と、
前記炭化珪素半導体基板のおもて面に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に選択的に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体層の表面に選択的に設けられた、前記第1半導体領域と接続する第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体層および前記第1半導体領域とショットキー接触する第1電極と、
前記第2半導体領域とオーミック接触する第2電極と、
を備え、
前記第2電極は、前記第1電極と接する表面にTi-Al合金が設けられ、内部にNiシリサイド層が設けられ、前記Niシリサイド層の上端及び下端から離れた内部にTiが粒状に偏在する形で分散して設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/48 E
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/86 301 P
, H01L 29/86 301 M
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/91 K
, H01L 29/86 301 E
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/06 301 G
