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J-GLOBAL ID：200902100629573824   Reference number：00A0651178

Effects of GaP Cap Layer Growth on Self-Assembled InAs Islands Grown on GaP (001) by Organometallic Vapor Phase Epitaxy.

有機金属気相エピタクシーによってGaP(001)上に成長させた自己集合InAs島状構造におよぼすGaPキャップ層成長の効果

Author (5)： FUCHI S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NONOGAKI Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORIYA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 6A  Page： 3290-3293  Publication year： Jun. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...
Semi thesaurus term： OMVPE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (23)：

• 1) E. H. Chen, T. P. Chin, J. M. Woodall and M. S. Lundstorm: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1551.
• 2) J. C. P. Chang, T. P. Chin and J. M. Woodall: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 981.
• 3) V. Gopal, E. P. Kvam, T. P. Chin and J. M. Woodall: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2319.
• 4) J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. André and O. Vatel: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 196.
• 5) D. Leonard, K. Pond and P. M. Petroff: Phys. Rev. B 50 (1994) 11687.

Terms in the title (7)： 有機金属気相エピタクシー ,  GAP ,  成長 ,  自己集合 ,  InAs ,  島状構造 ,  キャップ層